规格
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 系列 | - |
| 包装 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-247-4 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 72mOhm @ 15A, 18V |
| 功耗（最大） | 210W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.2V @ 1mA |
| 供应商设备包 | TO-247-4 |
| 年级 | Automotive |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 15V, 18V |
| Vgs（最大） | +18V, -5V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 32 nC @ 18 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 721 pF @ 40 V |
| 资质 | AEC-Q101 |