title
  • image of 单 FET、MOSFET>IRF200B211XKMA1
  • image of 单 FET、MOSFET>IRF200B211XKMA1
  • 零件编号 IRF200B211XKMA1
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 TRENCH >=100V
    封装 管子
    数量 200
    价格 $0.6300
    RoHS状态 YES
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商IR (Infineon Technologies)
    系列-
    包装管子
    产品状态ACTIVE
    包装/箱TO-220-3
    安装类型Through Hole
    工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
    技术MOSFET (Metal Oxide)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C12A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs170mOhm @ 7.2A, 10V
    功耗(最大)80W (Tc)
    Vgs(th)(最大值)@Id4.9V @ 50µA
    供应商设备包PG-TO220-3-904
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
    Vgs(最大)±20V
    漏源电压 (Vdss)200 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs23 nC @ 10 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds790 pF @ 50 V