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  • 零件编号 IPTC026N12NM6ATMA1
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 TRENCH >=100V
    封装 卷带式 (TR)
    数量 200
    价格 $3.4300
    RoHS状态 YES
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商IR (Infineon Technologies)
    系列OptiMOS™ 6
    包装卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱16-PowerSOP Module
    安装类型Surface Mount
    工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
    技术MOSFET (Metal Oxide)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C26A (Ta), 222A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs2.6mOhm @ 115A, 10V
    功耗(最大)3.8W (Ta), 278W (Tc)
    Vgs(th)(最大值)@Id3.6V @ 169µA
    供应商设备包PG-HDSOP-16-2
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)8V, 10V
    Vgs(最大)±20V
    漏源电压 (Vdss)120 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs88 nC @ 10 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds6500 pF @ 60 V